장태수 SK하이닉스 부사장 "6세대 D램으로 1등 위상 공고히 할 것"

장 부사장, 최단기간 1c DDR5 D램 개발해 대통령 표창 수상

[마이데일리 = 심지원 기자] SK하이닉스가 장태수 SK하이닉스 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제52회 상공의 날'기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.

장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

'1c D램 개발 태스크포스(TF)'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.

그는 "선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각한다"며 "이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전한다"고 수상 소감을 밝혔다.

또 그는 이번 성과에 대해 "세계 최초, 최단기간 내 1c DDR5 개발을 통해 SK하이닉스가 먼저 기술 주도권을 확보했다"며 "초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻었으며, 동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보가 가능하다"고 설명했다.

아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다. 그는 "D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다"며 "미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"고 전했다.

마지막으로 장 부사장은 "데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있다"며 "앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것"이라고 말했다.

심지원 기자 sim@mydaily.co.kr
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