[현장] SK하이닉스, 16단 HBM3E 세계 최초 공개…곽노정 "내년 초 샘플 공급"

곽노정 SK하이닉스 사장, 차세대 HBM 로드맵 공개
현존 HBM 최대 용량 48GB 16단 HBM3E 개발 공식화
"세계 최초, 최고 지향, 최적 혁신으로 AI 시대 주도"

[마이데일리 = 황효원 기자] SK하이닉스가 현존 HBM 최대 용량인 48GB(기가바이트)가 구현된 16단 HBM3E 개발을 세계 최초로 공식화했다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 '차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 한 기조 연설에 나서 이같이 말했다.

곽 사장은 "HBM3E에서 선제적 개발 제품으로 16단 제품을 준비했다"면서 "자체 시뮬레이션을 통해 16단 제품은 12단 대비 학습성능은 18%, 추론 성능은 32% 가량 개선되는 것을 확인했다"고 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB였다.

곽 사장은 "16단 HBM3E를 생산하기 위해 당사는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 함께 개발하고 있다"고 설명했다.

곽 사장은 "향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 커질 것으로 예상되는 가운데, HBM3E 16단이 향후 당사의 AI 메모리 No.1 위상을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대된다"며 자신감을 내비치기도 했다.

MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under Fill)는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.

칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 우수해 안정적인 HBM 양산성을 확보하는 데 핵심으로 꼽힌다.

곽 사장은 "과거의 데이터를 학습하고 이를 기반으로 새로운 데이터를 추론하는 AI가 인류에게 새로운 경험을 선물할 것인데 이것이 SK하이닉스가 내다보는 미래의 '창의적 메모리(Creative Memory)'이며 이러한 변화는 강력한 컴퓨팅 파워를 지원하는 차세대 메모리 반도체 없이는 실현될 수 없다"고 전했다.

황효원 기자 woniii@mydaily.co.kr
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